1997 yılında DDR, 2001 yılında DDR2 ve 2005 yılında da DDR3 bellek teknolojilerini dünyaya tanıtan Samsung, şimdi de 30 nm teknolojisini kullanarak ortaya çıkardığı dünyanın ilk DDR4 DRAM bellek modüllerini duyurdu. Bu yeni nesil bellekler 2133 MHz çalışma frekansına ve 1,2 V'lik çalışma voltajına sahip. Bu voltaj değeri, 1,5 V ile çalışan sıradan DDR3 belleklere göre %40 daha az güç tüketimi anlamına gelmekte. Ayrıca 30nm'lik üretim teknolojisi sayesinde 2GB kapasite değerine kadar çıkan bellek çipleri üretilebiliyor. "Pseudo Open Drain" adı verilen ve grafik kartlarındaki GDDR belleklerde de bulunan teknolojinin bu sisteme uyarlanması sayesinde bellekler, veri okuma ve yazma sırasında DDR3 belleklerin yarısı kadar elektrik akımı kullanmakta.
